Первые образцы нового интерфейса Light Peak от Intel будут не оптическими, а электрическими, на медных проводниках.

Представители компании Intel объявили на выставке CES 2011 о том, что новая технология Light Peak уже доведена до ума и готова к массовому внедрению. Но, вице-президент и генеральный директор Intel Architecture Group Дэвид Перлмуттер (David Perlmutter) в своем выступлении объяви, что первые версии нового интерфейса будут построены не на волоконно-оптическом принципе, а на привычном всем электрическом, использующем для передачи информации медные проводники.

"Первые опыты, проводимые с интерфейсом Light Peak на медных проводниках, а не на волоконно-оптических линиях, показали неожиданно хорошие результаты, которых более чемдостаточно для удовлетворения подавляющего большинства запросов пользователей"-рассказал Дэвид Перлмуттер. -"И как все новое, оптическая технология более дорога, чем традиционная на электрических соединениях".Конечно, передача информации по волоконно-оптическому каналу происходит намного быстрее, чем электрическим путем и, в конечном счете, следующие версии интерфейсаLight Peak будут построены на передаче света по оптическому волокну.

Напомним, что интерфейс Light Peak будет обеспечивать связь между мобильными, периферийными устройствами и компьютером на скорости до 10 Гигабит в секунду и на расстоянии до 100 метров. Принимая во внимание такие характеристики интерфейса нельзя не задуматься о конкуренции между Light Peak и USB 3.0, учитывая давнюю историю развития USB и количество устройств его поддерживающих, вряд ли стоит ожидать что Light Peak когда-нибудь вытеснит USB.

"Взглянув на Light Peak и USB 3.0 под различными углами можно заметить что эти два интерфейса ни в коем случае не дублируют друг друга, они дополняют друг друга каждый своимивозможностями"-пояснил Дэвид Перлмуттер.

Источник

Нужна ли новым компьютерам большая производительность? Несомненно, считает Intel, но так ли это?

За день до открытия выставки 2011 Consumer Electronics Show корпорация Intel объявила о начале выпуска процессоров второго поколения Intel Core, известных под кодовым именем Sandy Bridge. Согласно опубликованной информации процессоры Sandy Bridge в некоторых тестах приблизительно на 69% обгоняют процессоры предыдущего поколения, на их кристалле, изготовленном по технологии 32 нм, находится 1.16 миллиардов транзисторов.

Но, с другой точки зрения, нуждается ли основная масса пользователей в такой высокой производительности? Конечно, тут в расчет не нужно брать заядлых игроманов и специалистов, работающих с большими массивами информации, требующими для обработки значительных ресурсов. Ведь большинство обычных пользователей, имея дома компьютер, используют его для Интернета, просмотра видео и упорядочивания коллекции своих фотографий. Для таких ординарных задач совсем не требуется высокая производительность, с ними может без проблем справиться и средний процессор предыдущего поколения, ведь в действительности не имеет большого значения, сколько будет конвертироваться несколькоминутный ролик, снятый семейной видеокамерой, 10 или 20 секунд. А на такой аргумент у компании Intel был только один ответ, с новыми процессорами и их производительностью можно будет играть в любые игры на любом ноутбуке с процессором Sandy Bridge.

Отсюда можно сделать вывод, что вся линейка новых процессоров, анонсированных компанией Intel, нацелена только на один слой потребителей, т.е. на любителей поиграть впоследние игры, которые гонятся за качеством игрового процесса и любят, что бы в их компьютерах стояло все самое, самое последнее. Так же процессоры Sandy Bridge, с точки зрения компании Intel, способны вывести киноиндустрию на новый качественный уровень. В рекламной компании новых процессоров прозвучало заявление Кевина Тсуджихара (Kevin Tsujihara), вице-президента Warner Bros. Home Entertainment Group, который сказал, что с новыми процессорами киностудии смогут быстрее выпускать новые фильмы, при этом, со значительнолучшим качеством. Но и в этом можно усомниться, ибо для рендеринга видео и кинофильмов используются несколько иные компьютеры, нежели компьютеры на базе процессоров Intel.

Источник

Новый радиационный спектрометр позволит быстро определить тип и уровень радиационного загрязнения.

Радиационное загрязнение - это один из самых опасных видов загрязнения для человека. Благодаря таким масштабным авариям, как Чернобыльская катастрофа, всем известно, к чему может привести загрязнение окружающей среды радионуклидами и другими радиоактивными веществами. И, естественно, что для успешной очистки и борьбы с последствиями радиационного загрязнения необходимо знать не только тип радиоактивного излучения, но и количество, вид радиоактивных веществ, выброшенных в окружающуюсреду. Такой анализ ранее, да и сейчас, выполняется с использованием нескольких типов датчиков, регистрирующих различные виды излучения, а типы и количество радионуклидов определяются химическими лабораторными методами, которые не всегда дают точные результаты и длятся достаточно долгое время.

Инженеры из Университета штата Орегон (Oregon State University) разработали принципиально новый тип радиационного детектора, который поможет максимально сократить время реакции на возникновение радиационного загрязнения, вызванного авариями или утечками на ядерных электростанциях, применения террористами"грязных"бомб или, даже, после падения из космоса старых искусственных спутников, имеющих на своем борту остатки отработанного ядерного топлива.

Новый детектор, радиационный спектрометр, может быстро и точно определить тип и количество радионуклидов, таких как цезий-137 или стронций-90, присутствующих в образцах зараженных материалов и почвы. Помимо этого, с помощью нового прибора можно одновременно определить уровни бета-, альфа- и гамма-излучения, что так же необходимодля определения уровня загрязнения и потенциальной опасности. С использованием нового радиационного спектрометра время полного анализа составляет не более 15 минут, что является совсем малым временем по сравнению с 6-8 часами, требующимися для выполнения такого же анализа традиционными методами.

В настоящее время исследователи из Университета штата Орегон работают совместно со специалистами техасской компании Ludlum Instruments над производством первых опытных образцов коммерческих вариантов новых радиационных спектрометров. А по завершению этих работ будут произведены поиски партнера, обладающего всеми необходимыми патентами, который сможет наладить промышленный выпуск этих устройств.

Источник

Samsungпредставляет гибкие, прозрачные AMOLED-дисплеи следующего поколения.

На выставке CES 2011, которая откроется в ближайшем будущем в Лас-Вегасе, компания Samsung готовит презентацию двух новых опытных образцов гибких, прозрачных AMOLED-дисплеев, разработанных в подразделении компании Samsung Mobile Display (SMD). Первый опытный образец имеет диагональ 4.5 дюйма и разрешение 800x480 (WVGA) точек, он предназначен для использования в различных мобильных устройствах и телефонах. Второй образец имеет существенно большие размеры, разрешение и предназначен для использования в компьютерныхмониторах и телевизорах.

Гибкие AMOLED-дисплеи имеют толщину около двух миллиметров и могут скатываться в трубку, диаметром около одного сантиметра. Это стало возможным благодаря использованию нового пластикового основания, которое, к тому же, выдерживает нагрев до 450-500 градусов во время производственного процесса. Но самым интересным из опытных образцов является большой, 19-дюймовый образец, названный qFHD (quad Full High Definition). Его нестандартное разрешение составляет 3840x2160 точек, при соотношении сторон 16:9, это в четыре раза больше, чем разрешение стандарта 1080p.

Новые AMOLED-дисплеи имеют коэффициент прозрачности, равный тридцати процентам, это на десять процентов больше, чем у более ранних образцов подобных дисплеев. Это позволит реализовать множество дополнительных функций, таких как, серфинг в Интернете во время просмотра телепередач или установка дисплеев непосредственно на окнахи на других стеклянных предметах, включая и автомобильные стекла.

Помимо 10-дюймового опытного образца, Samsung продемонстрирует еще один образец qFHD AMOLED-дисплея, с диагональю 14 дюймов, предназначенный для ноутбуков и планшетных компьютеров.

Источник

Чипы на солнечной энергии позволят упразднить аккумуляторные батареи.

Разрабатывая новую электронику, приводимую в действие солнечной энергией, исследователи разработали и изготовили опытные образцы процессорных чипов, объединенных с фотогальваническими ячейками, вырабатывающими энергию из солнечного света. Использование солнечного света для обеспечения энергетических потребностей электроники далеко не новая идея, но повсеместно используются раздельные элементы, электронные узлы и солнечные батареи. Но совмещение электроники и высокоэффективныхфотогальванических элементов открывает дорогу к развитию новых автономных, малопотребляющих электронных устройств, способных работать в условиях слабого освещения и закрытых помещений.

Производство таких чипов, по словам ученых, является достаточно сложным процессом. Основной проблемой является то, что хрупкие части полупроводниковой структуры чипа, использовавшиеся в качестве основы для фотогальванических элементов, часто не выдерживали повышенной нагрузки и выходили из строя. По этой причине пришлось использовать не обычные полупроводниковые материалы, а аморфный кремний, CIGS, являющийся соединением меди, индия, галлия и кремния, из которого были изготовлены новые высокоэффективные фотогальванические элементы. Эти элементы вырабатывают достаточно энергии, что бы обеспечить ею все компоненты электроники, расположенные начипе, одна ячейка вырабатывает около 1 милливатта энергии.

Проведенные тесты показали, что обе составных части нового чипа, электронная и фотогальваническая, функционирую должным образом, а производственный процесс изготовления новых чипов ничем не отличается от подобных процессов, используемых в производстве обычных электронных компонентов. Но у новых чипов есть одно большое преимущество, совмещение процесса производства электронных узлов и солнечных элементов позволяет значительно упростить производство электронных устройств и существенно снизить использование дорогостоящих полупроводниковых материалов.

Автономный чип является разработкой группы Полупроводниковых компонентов (Semiconductor Components group) университета Твенте (University of Twente) и Института нанотехнологий MESA+. Исследования проводились под руководством профессора Джуррианf Шмитца (Professor Jurriaan Schmitz). Помимо этого к исследованиям были привлечены ученые из университета Нанкай в Тяньцзине (Nankai University in Tianjin), Китай, и института Дебье Утрехтского университета (Debye Institute of Utrecht University). Финансирование проекта осуществлял Технологический фонд STW (STW Technology Foundation).

Источник